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“基于B-VGF 法高品质磷化铟单晶衬底制备技术研发项目科技成果评价会”在北京召开
发布时间：2021-03-31作者：来源：点击：
在全国喜迎中国共产党成立一百年周年的日子里，中国国际科技促进会作为一家长期致力于促进中国科学技术发展的全国性社团组织，今年注重科技成果评价工作，作为向建党一百周年献礼。
2021 年 3 月 25 日下午14时至16时，中国国际科技促进会在北京裕龙国际酒店组织召开了广东省台山市华兴光电科技有限公司完成的“基于B-VGF 法高品质磷化铟单晶衬底制备技术研发项目科技成果评价会”。 清华大学教授、中国工程院院士周济，北京科技大学材料学院教授曲选辉，北京交通大学教授徐征，北京邮电大学教授黄永清，国家工业和信息化部电子工业标准研究院高级工程师王毅，中国半导体行业协会高级工程师任振川，国家科技部火炬中心研究员何志明，中国国际科技促进会办公室主任徐忻，中国科协《电子技术与软件工程》杂志执行主编陈家忠，中国国际科技促进会理事、技术推广部副主任俞跃，台山市华兴光电科技有限公司董事长、总裁关活明，总经理关淑文，副总经理兼监事关育坚、技术专家欧阳俊朝等出席会议。中国国际科技促进会会长助理兼副秘书长张勇生主持会议。
广东省台山市华兴光电科技有限公司自2007年成立以来，是一家民营高新技术认定企业，致力于磷化铟单晶生长研发和磷化铟单晶圆基片加工。团队由国内顶级科研部门、国外专家组成。经过十多年的无数次试验、攻关克难，成功开发出VGF生长法生产磷化铟单晶片（EPD≤1000 cm2）的整套工艺和生产设备，从此实现高品质低位错磷化铟单晶片的全部国产化，产品经中国信息产业部、中国电子学会磷化铟组及中国科学院半导体研究所等权威机构检测，参数均优于国际商用水平，填补了该项材料在国内的技术空白。
在卫星通信、5G、人工智能、互联网经济时代，有着广阔的发展前景和应用市场。该公司自主设计、制造安装整套磷化铟单晶生长设备实现国产化，是目前国内唯一实现产业化的公司，同时还拥有低成本，高质量的B-VGF晶体生长工艺和技术以及先进的晶片加工技术和芯片表面洁净清洗技术。据悉，该公司自主研发的“一种N型磷化铟单晶生长制备配方”、“一种用于制备磷化铟单晶的石英坩埚的封口装置”等11项业已获得国家知识产权局“发明专利证书”和实用技术专利证书 评价委员会听取了项目完成单位的技术总结报告，对所提供的评价资料进行了审查和质询答辩。清华大学教授、中国工程院院士周济认为 ，该公司发明的磷化铟单晶制备的新配方和关键装备，获得了综合性能良好的磷化铟单晶，属于自主创新。 北京科技大学材料学院教授曲选辉在评价会上表示，华兴光电自主研发了原位直接合成技术，有效避免了外部环境的干扰，同时还发展了B-VGF法生产工艺，自主开发了配套关键设备，稳定了生长温度梯度，降低了磷化铟单晶的位错密度。评价委员会认为该项目技术达到国际先进水平，一致同意通过科技成果评价。
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